7N Nuôi cấy và tinh chế tinh thể Tellurium
I. Xử lý sơ bộ và tinh chế nguyên liệu thô
- Lựa chọn và nghiền nguyên liệu thô
- Yêu cầu vật liệu: Sử dụng quặng tellurium hoặc bùn anot (hàm lượng Te ≥5%), tốt nhất là bùn anot luyện đồng (chứa Cu₂Te, Cu₂Se) làm nguyên liệu thô.
- Quá trình tiền xử lý:
- Nghiền thô đến kích thước hạt ≤5mm, sau đó nghiền bằng máy nghiền bi đến kích thước ≤200 mesh;
- Tách từ tính (cường độ từ trường ≥0,8T) để loại bỏ Fe, Ni và các tạp chất từ tính khác;
- Tuyển nổi (pH=8-9, chất thu gom xanthate) để tách SiO₂, CuO và các tạp chất không từ tính khác.
- Các biện pháp phòng ngừaTránh đưa hơi ẩm vào trong quá trình xử lý ướt (cần sấy khô trước khi rang); kiểm soát độ ẩm môi trường ≤30%.
- Nung luyện và oxy hóa nhiệt luyện
- Thông số quy trình:
- Nhiệt độ rang oxy hóa: 350–600°C (kiểm soát theo từng giai đoạn: nhiệt độ thấp để khử lưu huỳnh, nhiệt độ cao để oxy hóa);
- Thời gian rang: 6–8 giờ, với tốc độ dòng khí O₂ là 5–10 L/phút;
- Thuốc thử: Axit sulfuric đậm đặc (98% H₂SO₄), tỷ lệ khối lượng Te₂SO₄ = 1:1,5.
- Phản ứng hóa học:
Cu2Te+2O2+2H2SO4→2CuSO4+TeO2+2H2OCu2Te+2O2+2H2SO4→2CuSO4+TeO2+2H2O - Các biện pháp phòng ngừa: Kiểm soát nhiệt độ ≤600°C để ngăn ngừa sự bay hơi của TeO₂ (điểm sôi 387°C); xử lý khí thải bằng thiết bị lọc NaOH.
II. Điện phân tinh chế và chưng cất chân không
- Điện phân tinh luyện
- Hệ thống điện phân:
- Thành phần chất điện giải: H₂SO₄ (80–120 g/L), TeO₂ (40–60 g/L), chất phụ gia (gelatin 0,1–0,3 g/L);
- Kiểm soát nhiệt độ: 30–40°C, lưu lượng tuần hoàn 1,5–2 m³/h.
- Thông số quy trình:
- Mật độ dòng điện: 100–150 A/m², điện áp pin: 0,2–0,4V;
- Khoảng cách giữa các điện cực: 80–120mm, độ dày lớp lắng đọng catốt 2–3mm/8h;
- Hiệu quả loại bỏ tạp chất: Cu ≤5ppm, Pb ≤1ppm.
- Các biện pháp phòng ngừa: Thường xuyên lọc dung dịch điện phân (độ chính xác ≤1μm); đánh bóng bề mặt cực dương bằng máy để ngăn ngừa hiện tượng thụ động hóa.
- Chưng cất chân không
- Thông số quy trình:
- Độ chân không: ≤1×10⁻²Pa, nhiệt độ chưng cất 600–650°C;
- Nhiệt độ vùng ngưng tụ: 200–250°C, hiệu suất ngưng tụ hơi Te ≥95%;
- Thời gian chưng cất: 8–12 giờ, công suất mỗi mẻ ≤50 kg.
- Phân bố tạp chất: Các tạp chất có điểm sôi thấp (Se, S) tích tụ ở phía trước bộ ngưng tụ; các tạp chất có điểm sôi cao (Pb, Ag) vẫn còn trong cặn.
- Các biện pháp phòng ngừa: Bơm chân không hệ thống trước đến ≤5×10⁻³Pa trước khi gia nhiệt để ngăn ngừa quá trình oxy hóa Te.
III. Sự phát triển tinh thể (Kết tinh định hướng)
- Cấu hình thiết bị
- Các mô hình lò nung tăng trưởng tinh thể: TDR-70A/B (dung tích 30kg) hoặc TRDL-800 (dung tích 60kg);
- Vật liệu nồi nung: Than chì tinh khiết cao (hàm lượng tro ≤5ppm), kích thước Φ300×400mm;
- Phương pháp gia nhiệt: Gia nhiệt bằng điện trở than chì, nhiệt độ tối đa 1200°C.
- Thông số quy trình
- Kiểm soát sự nóng chảy:
- Nhiệt độ nóng chảy: 500–520°C, độ sâu vũng nóng chảy 80–120mm;
- Khí bảo vệ: Ar (độ tinh khiết ≥99,999%), lưu lượng 10–15 L/phút.
- Thông số kết tinh:
- Tốc độ kéo: 1–3mm/h, tốc độ quay tinh thể 8–12rpm;
- Độ chênh lệch nhiệt độ: Theo trục 30–50°C/cm, theo bán kính ≤10°C/cm;
- Phương pháp làm mát: Đế bằng đồng làm mát bằng nước (nhiệt độ nước 20–25°C), làm mát bức xạ từ phía trên.
- Kiểm soát tạp chất
- Hiệu ứng phân tách: Các tạp chất như Fe, Ni (hệ số phân bố <0,1) tích tụ tại ranh giới hạt;
- Chu kỳ nấu chảy lại: 3–5 chu kỳ, tổng lượng tạp chất cuối cùng ≤0,1 ppm .
- Các biện pháp phòng ngừa:
- Phủ bề mặt nóng chảy bằng các tấm than chì để ngăn chặn sự bay hơi của Te (tỷ lệ thất thoát ≤0,5%);
- Theo dõi đường kính tinh thể trong thời gian thực bằng máy đo laser (độ chính xác ±0,1mm);
- Tránh dao động nhiệt độ >±2°C để ngăn ngừa sự gia tăng mật độ lệch mạng (mục tiêu ≤10³/cm²).
IV. Kiểm tra chất lượng và các chỉ số chính
| Mục kiểm tra | Giá trị tiêu chuẩn | Phương pháp thử nghiệm | nguồn |
| Độ tinh khiết | ≥99,99999% (7N) | ICP-MS | |
| Tổng lượng tạp chất kim loại | ≤0,1 ppm | GD-MS (Quang phổ khối lượng phóng điện phát sáng) | |
| Hàm lượng oxy | ≤5ppm | Hấp thụ hồng ngoại bằng phản ứng tổng hợp khí trơ | |
| Tính toàn vẹn của tinh thể | Mật độ lệch mạng ≤10³/cm² | Chụp X-quang địa hình | |
| Điện trở suất (300K) | 0,1–0,3Ω·cm | Phương pháp bốn đầu dò |
V. Các quy trình về môi trường và an toàn
- Xử lý khí thải:
- Khí thải từ quá trình rang: Trung hòa SO₂ và SeO₂ bằng thiết bị lọc NaOH (pH≥10);
- Khí thải chưng cất chân không: Ngưng tụ và thu hồi hơi Te; khí dư được hấp phụ bằng than hoạt tính.
- Tái chế xỉ:
- Bùn anot (chứa Ag, Au): Thu hồi bằng phương pháp thủy luyện (hệ H₂SO₄-HCl);
- Cặn điện phân (chứa Pb, Cu): Trả lại vào hệ thống luyện đồng.
- Các biện pháp an toàn:
- Người vận hành phải đeo mặt nạ phòng độc (hơi Te rất độc); duy trì thông gió áp suất âm (tỷ lệ trao đổi không khí ≥10 chu kỳ/giờ).
Hướng dẫn tối ưu hóa quy trình
- Thích ứng nguyên liệu thô: Điều chỉnh nhiệt độ nung và tỷ lệ axit một cách linh hoạt dựa trên nguồn bùn anot (ví dụ: luyện đồng so với luyện chì);
- Ghép cặp tốc độ kéo tinh thểĐiều chỉnh tốc độ kéo theo đối lưu nóng chảy (số Reynolds Re≥2000) để ngăn chặn hiện tượng siêu lạnh cấu trúc;
- Hiệu quả năng lượng: Sử dụng hệ thống gia nhiệt hai vùng nhiệt độ (vùng chính 500°C, vùng phụ 400°C) để giảm 30% công suất tiêu thụ của điện trở than chì.
Thời gian đăng bài: 24/03/2025
